『iPhone 6 Plus』128GBモデル、TLCセル不具合でリコールか
公開日：
:
Apple iPhone 6 Plus
この記事にはアフィリエイト広告・広告が含まれています。
『iPhone 6 Plus』128GBモデルを購入した一部ユーザーでアプリのクラッシュや再起動が繰り返される不具合が報告されており、その原因として搭載するフラッシュメモリによる可能性が海外メディアに指摘され話題となっています。
『iPhone 6 Plus』128GBモデル
BusinessKoreaが11月3日に投稿した記事によると、一連の不具合に関する原因は『iPhone 6 Plus』128GBモデルに搭載されているNAND型フラッシュメモリのコントローラーICにあるとしています。
NAND型フラッシュメモリにはデータの読み書きが最も高速ながら高価な2値1ビットを記録する方式の「SLC」（Single Level Cell）と、製造コストが抑えられる4値2ビット以上を記録する方式「MLC」（Multi Level Cell）の2種類があり、さらにコスト製造を抑えることができる8値3ビットの記録方式を電荷量の区別として「TLC」(Triple Level Cell) または「MLC-3」と表記するようです。
今回の『iPhone 6 Plus』128GBモデルには、その『TLC（MLC-3）』セルが採用されており、同じくTLCセルを使ったSamsung SSD 840／840 EVOでも不具合が報告されていることを挙げています。
この報道が事実であれば、OS・ソフトウェアのアップデートでは対処できない可能性もあり、BGRなど海外メディアではリコールに直面していると伝えています。
そういえば、iPad Air 2 も128GBモデルが存在していてプロセッサが強力になっていますがフラッシュメモリは大丈夫でしょうか。
Samsung SSD 840といえば、ノートPC「ASUS VivoBook X202E」のSSD化に使いましたが「PRO」モデルはTLCではないのか不具合はありません。
Source：Business Korea／BGR
