次期iPhone (2019)は内部デザイン変更、カメラ向上でLightning継続か

公開日: : Apple

2019年に発表される次期iPhoneについてカメラの具体的な数値と内部デザインの変更、そして搭載するインターフェイスに関する情報が伝えられています。

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次期iPhone (2019)の一部仕様リークか

前回のリークで定評のある@OnLeaks氏と協力してレンダリング画像を公開したインドのメディアcomparerajaが独占リークとして次の仕様について伝えています。

iPhone XI (2019)のフロントとリアカメラ

同メディアが入手した情報によればiPhone XI (2019)に搭載される背面トリプルカメラのうち2つは1000万画素と1400万画素になるようです。

前面のTrueDepthカメラシステムは1000万画素カメラがさいようされるため、現行モデルの700万画素から向上するとしています。

そのデバイスはiPhone XS / iPhone XS Maxの後継モデルであり、暫定的にiPhone XIS / iPhone XIS Maxと呼ばれているとのこと。

iPhone XI (2019)の内部デザイン変更

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背面トリプルカメラにより内部パーツの配置が変更されるようです。

ロジックボードはバッテリー上に配置されるとのこと。

iPhone XI (2019)のインターフェイス

最新のiPad ProでUSB-Cを採用したことからiPhone XI (2019)がLightningポートを卒業するのではという推測が伝えられていますが、同メディアは異なる情報を入手しているようです。

なお、先日リークしたレンダリング画像にインターフェイスの情報はなかったとして、そこからUSB-CまたはLightningいずれかを採用するのかはわからないとしています。

Appleが毎年9月のイベントで新しいiPhoneを発表するまで残り7~8か月後、現時点でのリークは試験段階ということで確定された物ではありませんが、引き続き最新情報を伝えるとしています。

前回のiPhone
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Source:compareraja (最新のiPhone記事へ)

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