次期iPhone (2019)は内部デザイン変更、カメラ向上でLightning継続か
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2019年に発表される次期iPhoneについてカメラの具体的な数値と内部デザインの変更、そして搭載するインターフェイスに関する情報が伝えられています。
次期iPhone (2019)の一部仕様リークか
前回のリークで定評のある＠OnLeaks氏と協力してレンダリング画像を公開したインドのメディアcomparerajaが独占リークとして次の仕様について伝えています。
iPhone XI (2019)のフロントとリアカメラ
同メディアが入手した情報によればiPhone XI (2019)に搭載される背面トリプルカメラのうち２つは1000万画素と1400万画素になるようです。
前面のTrueDepthカメラシステムは1000万画素カメラがさいようされるため、現行モデルの700万画素から向上するとしています。
そのデバイスはiPhone XS / iPhone XS Maxの後継モデルであり、暫定的にiPhone XIS / iPhone XIS Maxと呼ばれているとのこと。
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iPhone XI (2019)の内部デザイン変更
背面トリプルカメラにより内部パーツの配置が変更されるようです。
ロジックボードはバッテリー上に配置されるとのこと。
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iPhone XI (2019)のインターフェイス
最新のiPad ProでUSB-Cを採用したことからiPhone XI (2019)がLightningポートを卒業するのではという推測が伝えられていますが、同メディアは異なる情報を入手しているようです。
なお、先日リークしたレンダリング画像にインターフェイスの情報はなかったとして、そこからUSB-CまたはLightningいずれかを採用するのかはわからないとしています。
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Appleが毎年9月のイベントで新しいiPhoneを発表するまで残り７～８か月後、現時点でのリークは試験段階ということで確定された物ではありませんが、引き続き最新情報を伝えるとしています。
前回のiPhone
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Source：compareraja （最新のiPhone記事へ）
