Qualcomm Snapdragon 835 のスライドがリーク
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その他・中華タブレット Qualcomm, Snapdragon 835
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Qualcommの次期フラッグシップSoC『Snapdragon 835』に関するスライドの一部がリークされ、仕様が明らかになっています。同社はCES2017で発表する予定としています。

Qualcomm Snapdragon 835 スライドがリーク
Qualcommが間もなく開催されるCES 2017で発表する予定の10nmチップを搭載したフラッグシップSoC「Snapdragon 835」がリークされました。

リーク資料によると「Snapdragon 835」はCPUに最大2.45GHzクアッドコアと1.9GHzクアッドコアで構成されるKryo 280 CPUを採用、GPUにはAdreno 540を搭載、世界初となるギガビットクラスのLTEモデム「Snapdragon X16 LTE」などの特徴がありました。
新しいグラフィックスコアはレンダリング時間が最大25%短縮し、表示色を60倍に増やせるとのこと。

10nmチップの大きさを比較
他にも「Snapdragon 835」は801から50%の省電力化に成功、古いフラッグシップ・スマートフォンよりもバッテリー駆動時間が長くなるかもしれません。
Source:videocardz.com
これまでの話
→Snapdragon 835がGeekBenchに登場、SD821やKirin 960とのスコア比較

気付けばブログ執筆そのものがライフワーク。ども、タブクル管理人です。
かつて夢見た「タブレットやスマホを操り、生産的な活動をする未来」。最近は、その実現を加速させるAIに夢中です。AIは思考力を奪うという意見もありますが「どう使うか、どんな指示を出すか」と、以前より思考力が試される時代の幕開けだと思います。























